Команда учёных под руководством Даррелла Шлома из Корнеллского университета установила новый рекорд ширины запрещённой зоны полупроводников, добавив кремний в тонкие пленки алюминий-галлий-оксид. Это достижение может значительно улучшить характеристики полупроводников, позволяя им работать при гораздо более высоких напряжениях и при этом сохранять контроль над проводимостью.

Широкие запрещённые зоны в полупроводниках открывают возможности для создания более компактной и эффективной электроники. Однако, чем шире становится эта зона, тем сложнее контролировать проводимость материала. Исследование, опубликованное в журнале Nature, показывает, что добавление кремния позволяет сохранить этот контроль даже при рекордных значениях ширины запрещённой зоны.

Это открытие имеет большое значение для будущих технологий, так как может привести к разработке новых типов электронных устройств, которые будут более эффективными и мощными. Применение таких полупроводников может изменить подход к созданию электроники и расширить её возможности в различных отраслях.